Модуль памяти для компьютера DDR3 8GB 1333 MHz Samsung (M378B1G73BH0-CH9)
код товара: U0006760
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 60 месяцев
Доставка:
Товар не доступен
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 60 месяцев
Доставка:
Товар не доступен
Оплата
Наличная, Безналичная, VISA/Mastercard
Обмен / возврат
Обмен / возврат товара в течении 14 дней
Гарантия: 60 месяцев
Характеристики
Основные характеристики
Дополнительно
Примечание
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Другие
Производитель
Samsung
Модель
DDR3 8GB 1333 MHz
Артикул
M378B1G73BH0-CH9
Гарантия, мес
60
Примечание
Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления
Описание
Модуль памяти DDR3 8192Mb SAMSUNG (M378B1G73BH0-CH9) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Память DDR3 8192Mb SAMSUNG (M378B1G73BH0-CH9) работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10666 МБ/с.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Память DDR3 8192Mb SAMSUNG (M378B1G73BH0-CH9) работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10666 МБ/с.
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
